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NXP Semiconductors
PESD3V3L5UK; PESD3V3L5UK
Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
Table 5. Limiting values …continued
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per device
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to pin 2.
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
[1][2]
(contact discharge)
PESD3V3L5UK
PESD5V0L5UK
-
-
15
20
kV
kV
PESD3V3L5UK
machine model
[2]
-
400
V
PESD5V0L5UK
PESD3V3L5UK
MIL-STD-883 (human
-
8
kV
PESD5V0L5UK
body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1, 3, 4, 5 or 6 to pin 2.
Table 7.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
PESD3V3L5UK_PESD5V0L5UK
Product data sheet
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Rev. 1 — 25 August 2010
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